| Prestony | Дата: Воскресенье, 19.01.2014, 19:10 | Сообщение # 1 |
|
Рядовой
Группа: Пользователи
Сообщений: 18
Статус: Offline
| - Как проходил процесс «родов»? http://stanislavporay.ru/dver-v-lifte.html/ - Lawana - Так как максимальный эффект может быть получен при использовании гетероперехода между полупроводником, выступающим в качестве активной области приборов, и более широкозонным материалом, наиболее перспективными системами, рассматривавшимися в то время, были GaP-GaAs и AlAs-GaAs. Для «совместимости» материалы «пары» должны удовлетворять первому и самому важному условию: наиболее близкие значения постоянных решеток. Поэтому гетеропереходы в системе AlAs-GaAs были предпочтительней. Однако для того, чтобы начать работы по получению и исследованию свойств этих гетеропереходов, требовалось преодолеть некоторый психологический барьер. К тому времени AlAs был ужедавно получен, но многие свойства этого соединения оставались неисследованными, так как было известно, что AlAs химически нестабилен и разлагается во влажной атмосфере. Возможность получения устойчивого и приспособленного для практических приложений гетероперехода в этой системе казалась малоперспективной. Первоначально наши попытки создать ДГС были связаны с решеточно- несогласованной системой GaAsP. Мы успешно изготовили первые лазеры на основе ДГС в этой системе методом газофазной эпитаксии (ГФЭ). Однако, из-за несоответствия параметров решетки, лазерная генерация, как и в лазерах на гомопереходах, могла осуществляться только при температуре жидкого азота. К концу 1966 года мы пришли к выводу, что даже небольшое несоответствие параметров решеток в гетероструктурах GaPAs-GaAs не позволяет реализовать потенциальные преимущества ДГС. В то время сотрудник моей группы Д.Н. Третьяков сообщил мне, что с мелкими кристаллами твердых растворов AlGaAs различных составов, полученными два года назад путем охлаждения из расплава и положенными А.С. Борщевским в ящик стола, ничего за это время не случилось. Тотчас же стало ясно, что твердые растворы AlGaAs химически устойчивы и подходят для изготовления долгоживущих гетероструктур и приборов. Дальнейший прогресс в области полупроводниковых гетероструктур был стремительным. Прежде всего, мы экспериментально подтвердили уникальные инжекционные свойства широкозонных эммитеров и эффект суперинжекции, продемонстрировали стимулированное излучение в A1GaAs-ДГС, установили зонную диаграмму Al GaAs-GaAs-гетероперехода, тщательно изучили люминесцентные свойства и диффузию носителей в плавном гетеропереходе, а также чрезвычайно интересные особенности тока через гетеропереход, например, диагональные туннельно-рекомбинационные переходы непосредственно между дырками из узкозонной и электронами из широкозонной составляющих гетероперехода. В это же самое время мы создали большинство наиболее важных приборов, в которых были реализованы основные преимущества гетероструктур: низкопороговые ДГС - лазеры при комнатной температуре; высокоэффективные светодиоды на одиночной гетероструктуре (ОГС) и на ДГС; солнечные элементы на гетероструктурах; биполярные транзисторы на гетероструктурах; тиристорные p-n-p-n-переключатели на гетероструктурах. http://stanislavporay.ru/dvoynoe-osteklenie-po-novomu.html/ - Kindra Большая семья, прежде всего - школа любви, об этом, конечно же, нужно писать и говорить, потому что это правда. http://stanislavporay.ru/ekb-dveri.html/ - Jutta
Prestoniy
|
| |
|
|
